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GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258
| Numéro d'article | GA50JT06-258 |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Colis/Caisse | - |
| Description | TRANS SJT 600V 100A |
| En stock | Nous pouvons expédier immédiatement |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| Feuille de données | GA50JT06-258 Feuille de données |
| Garantie | Nouveau et original |
| Catégorie | produits semi-conducteurs discrets |
| Filtre | transistors - fets, mosfets - simples |
Demande rapide
GA50JT06-258 Caractéristiques
| Numéro d'article: | GA50JT06-258 |
| Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Cycle de vie: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Catégorie: | produits semi-conducteurs discrets |
| Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
| Fabricant: | GeneSiC Semiconductor |
| Sans halogène: | Satisfy |
| Popularité: | High popularity |
| Offre et la demande: | Sufficient |
| Pièces alternatives: | E-mail Us / Technical Support |
| statut de la pièce: | Active |
| type fét: | - |
| technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| tension drain-source (vdss): | 600V |
| courant - drain continu (id) à 25°c: | 100A (Tc) |
| tension du variateur (max rds activé, min rds activé): | - |
| rds sur (max) @ id, vgs: | 25 mOhm @ 50A |
| vgs(e) (max) @ id: | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (maximum): | - |
| capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | - |
| fonctionnalité Fet: | - |
| puissance dissipée (max): | 769W (Tc) |
| température de fonctionnement: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| paquet d'appareil du fournisseur: | TO-258 |
| colis / caisse: | TO-258-3, TO-258AA |
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