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Microsemi Corporation APTM100H46FT3G
| Numéro d'article | APTM100H46FT3G |
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Colis/Caisse | - |
| Description | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
| En stock | Nous pouvons expédier immédiatement |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| Feuille de données | APTM100H46FT3G Feuille de données |
| Garantie | Nouveau et original |
| Catégorie | produits semi-conducteurs discrets |
| Filtre | transistors - fets, mosfets - tableaux |
Demande rapide
APTM100H46FT3G Caractéristiques
| Numéro d'article: | APTM100H46FT3G |
| Marque: | Microsemi Corporation |
| Cycle de vie: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Catégorie: | produits semi-conducteurs discrets |
| Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - tableaux |
| Fabricant: | Microsemi Corporation |
| Sans halogène: | Satisfy |
| Popularité: | High popularity |
| Offre et la demande: | Sufficient |
| Pièces alternatives: | E-mail Us / Technical Support |
| statut de la pièce: | Active |
| type fét: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| fonctionnalité Fet: | Standard |
| tension drain-source (vdss): | 1000V (1kV) |
| courant - drain continu (id) à 25°c: | 19A |
| rds sur (max) @ id, vgs: | 552 mOhm @ 16A, 10V |
| vgs(e) (max) @ id: | 5V @ 2.5mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs: | 260nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6800pF @ 25V |
| puissance - max: | 357W |
| température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| colis / caisse: | SP3 |
| paquet d'appareil du fournisseur: | SP3 |
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